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"access"(으)로 총 60건 검색되었습니다.
- 우리나라에서 볼 수 없는 개기일식과학동아 l200604
- 버퍼 기억장치·고속기억장치 등에도 사용된다접근방법이 등속호출(임의접근 ; random access)로 고속동작이 되는 것이 최대의 특징이다반도체에 과잉 운반자를 대량으로 주입했을 때 전자와 양공(陽孔)이 에너지 갭을 넘어 재결합할 때 발광하는 효과를 이용한 레이저 전자와 양공의 쌍을 만드는 ... ...
- 대형유인원 화석 및 진화 지도과학동아 l200412
- 버퍼 기억장치·고속기억장치 등에도 사용된다접근방법이 등속호출(임의접근 ; random access)로 고속동작이 되는 것이 최대의 특징이다반도체에 과잉 운반자를 대량으로 주입했을 때 전자와 양공(陽孔)이 에너지 갭을 넘어 재결합할 때 발광하는 효과를 이용한 레이저 전자와 양공의 쌍을 만드는 ... ...
- 48시간 동안만 재생되는 일회용 dvd과학동아 l200308
- 버퍼 기억장치·고속기억장치 등에도 사용된다접근방법이 등속호출(임의접근 ; random access)로 고속동작이 되는 것이 최대의 특징이다반도체에 과잉 운반자를 대량으로 주입했을 때 전자와 양공(陽孔)이 에너지 갭을 넘어 재결합할 때 발광하는 효과를 이용한 레이저 전자와 양공의 쌍을 만드는 ... ...
- 스페인 침몰 유조선 기름 제거 작업과학동아 l200212
- 버퍼 기억장치·고속기억장치 등에도 사용된다접근방법이 등속호출(임의접근 ; random access)로 고속동작이 되는 것이 최대의 특징이다반도체에 과잉 운반자를 대량으로 주입했을 때 전자와 양공(陽孔)이 에너지 갭을 넘어 재결합할 때 발광하는 효과를 이용한 레이저 전자와 양공의 쌍을 만드는 ... ...
- 차세대 메모리 칩 제조하는 나노과학과학동아 l200203
- 이에 대해 연구중이다. 전자의 스핀 성질을 이용한 메모리를 MRAM(magnetic random access memory)이라고 하는데, 이 메모리는 현재 개발된 다양한 종류의 메모리의 장점만을 모아놓은 격이다. DRAM의 고집적,플래시메모리의 비휘발성(전원이 나가도 정보가 그대로 남아있는 성질), SRAM의 빠른 처리속도를 ... ...
- Ⅲ 사람이 주인 되는 인터페이스 꿈꾼다과학동아 l200112
- 움직임은 이전부터 있어 왔다. 특히 ‘배리어 프리’(Barrier-free)나 ‘액세서빌리티’(Access ibility)와 같은 움직임은 장애인, 노인 등 행동 약자들이 사용하기 쉽게 기기를 설계하고 설정하기 위한 터를 닦았다. 그러나 배리어 프리는 지나치게 장애인을 배려한 나머지 그들을 고립시킬 우려가 있다는 ... ...
- 화려한 변신 컬러 휴대폰의 미래과학동아 l200110
- 996년 1월부터는 미국 퀄컴사가 1993년 개발한 무선접속방식의 하나인 CDMA(Code Division Multiple Access, 코드분할다중접속)를 기본기술로 도입해 인천과 부천 지역에서, 그리고 그해 4월에 서울 전지역에 서비스가 개시됐다.이어 1997년 10월 1일부터 PCS(Personal Communication System, ...
- 인터넷과 휴대폰 최강국 핀란드과학동아 l200006
- TDMA) 방식을 적용, 유럽 17개국을 단일통화권으로 묶게 됐다.CDMA: Code Division Multiple Access의 약자.1. 디지털 셀룰러 통신의 하나로 실제 정보 전송에 필요한 주파수 대역보다도 아주 넓은 대역에 신호를 확산시켜 전송한다. 수신 측에서는 원래 주파수 대역으로 되돌려 잡음 등 방해를 거의 받지 않고 ... ...
- Y2K스트레스과학동아 l199912
- kr)의 한글 96 이하 버전이 모두 문제가 있다. 또 마이크로소프트(www.microsoft.com)의 제품 중 Access 97(8.0) 이하 버전, Excel 97(8.0) 이하 버전, Office 4.2 이하 버전, Outlook 98 이하 버전, Power Point 97(8.0) 이하 버전, 워드 97(8.0) 버전 이하, Inter ...
- 첨단산업의 쌀 반도체과학동아 l199912
- 크게 할 수 없으나 고속처리가 가능하고 저전력에서도 동작한다.F램(Ferroelectric Random Access Memory)은 강유전체램으로 정보를 기억하는 커패시터에 강유전물질을 사용하는 메모리 반도체다. 강유전체는 D램의 커패시터에 넣는 이산화규소와 달리 전원이 꺼져도 계속 정보를 유지하는 특성을 가지고 ... ...
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