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삼성 ‘3D 반도체’로 또 메모리 혁명
동아일보
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2013.08.07
기존 반도체 미세공정의 한계를 극복한 새로운 개념의 ‘3차원 수직구조 낸드(3D Vertical
NAND
)플래시메모리’의 대량생산에 성공했다고 6일 밝혔다. 지금까지 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 세계 반도체업체들은 웨이퍼(반도체를 만드는 토대가 되는 얇은 판)에 얼마나 촘촘하게 셀(데이터를 ... ...
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