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삼성 ‘3D 반도체’로 또 메모리 혁명
동아일보
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2013.08.07
먼저 고무와 같이 전기나 열을 잘 전달하지 않는 부도체에 전하를 저장하는 ‘CTF(Charge
Trap
Flash)’ 기술을 도입해 간섭현상을 줄였다. 이후 셀을 24단으로 수직으로 쌓아올린 뒤 위에서 아래로 수십억 개의 미세한 구멍을 뚫는 방식으로 전극을 연결해 반도체를 완성했다. ▼ 5년내 스마트폰 용량 ... ...
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