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차세대 뉴로모픽 반도체의 '건망증' 고쳤다…이온 붙잡아 기억력 두 배로동아사이언스 l2026.02.27

트래핑'이라 이름 붙였다.   실험 결과 기억 성능을 나타내는 지표인 메모리 윈도우는 8.65볼트(V), 히스테리시스 강도는 96.4V를 기록했다. 기존 최고 수치인 5.0V와 47V 대비 각각 약 두 배 높은 수치다. 히스테리시스 강도가 높다는 것은 입력 신호가 사라진 뒤에도 저장된 상태가 쉽게 지워지지 ... ...