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"박막"(으)로 총 474건 검색되었습니다.
- ‘그래핀’ 한계 뛰어넘을 신소재 대면적 합성 첫 성공2016.05.03
- 플라스틱 기판이 녹는 문제가 있었다. 연구진은 기체 상태 물질의 화학반응을 통해 박막을 만드는 기존 ‘화학기상증착법’을 사용하는 대신, 전구체와 반응 기체, 물질의 표면 상태 등을 미세하게 조절해 350도 이하의 온도에서도 이차원 이황화몰리브덴을 합성하는 데 성공했다. 층수 조절 등 ... ...
- 휘어지는 모니터, 싸게 만드는 기술 개발2016.05.03
- 빠른 고성능 디스플레이 제작이 가능해졌다 최 교수는 “용액 공정을 이용해 산화물 박막 트랜지스터를 저렴하게 생산할 수 있는 가능성을 보였다는 데 의의가 있다”며 “다양한 초고해상도 디스플레이 제조에 활용이 가능할 것”이라고 밝혔다. 연구결과는 ‘네이처’ 자매지 ‘사이언티픽 ... ...
- 벌집 모양 ‘제임스 웹 우주망원경’ 주경 첫 공개2016.04.27
- 극한 환경을 견딜 수 있도록 주 거울이 베릴륨으로 제작됐고, 표면에 반응성이 낮은 금 박막(단위 거울 1개당 48.25g)이 코팅돼 있다. 미국항공우주국(NASA) 고다드우주비행센터에서 연구원들이 제임스 웹 우주망원경의 주 거울을 보호하고 있던 마지막 덮개를 걷어내고 있다. - NASA 제공 성공적으로 ... ...
- 물에서 수소에너지 값싸게 얻는 태양광 기술 개발2016.04.19
- 화학신소재공학부 교수팀과 공동으로 윤활유로 쓰이는 재료인 이황화몰리브덴(MoS2) 박막을 이용해 수소 생산률을 기존보다 20배 높일 수 있는 기술을 개발했다고 19일 밝혔다. 식물이 광합성을 하듯 태양광 에너지로부터 수소와 같은 유용한 물질을 얻어내기 위한 ‘인공 광합성’ 연구가 최근 ... ...
- 투명 랩만큼 얇다, 손등에 딱 붙는 초박막 전자피부 개발2016.04.18
- 상태를 유지했다. 연구진은 여기에 투명한 인듐주석산화물(ITO) 전극을 붙여 초박막 전자피부 디스플레이를 만드는 데 성공했다. 이를 활용해 연구진은 혈중 산소량을 감지해 디스플레이에 표시해 주는 전자피부를 만들었다. 이 전자피부는 열 발생량과 전력 소비량이 기존의 6분의 1로 줄었고, ... ...
- 더 저렴한 가격으로 트랜지스터 성능 25배↑2016.04.13
- 위해 CNT에 산을 추가해 물과 잘 섞이도록 만들었다. 리튬과 탄소나노튜브를 적용한 박막 트랜지스터의 실제 모습. - 광주과학기술원(GIST) 제공 기존에 사용되던 트랜지스터는 1V(볼트)의 전압을 걸었을 때 전하가 초당 1.4㎠의 면적을 이동할 수 있는 성능을 보였지만, 리튬을 추가하자 약 5배 높아진 ... ...
- 차세대 반도체 소자 ‘흑린’ 대량생산 방법 찾아냈다2016.04.06
- 차세대 반도체 소자로 불리는 흑린 덩어리를 실험용 병에 담아둔 모습. - 한국기초과학지원연구원 제공 국내 연구진이 차세대 반도체 소 ... 단계로 발전할 수 있는 연구 기반이 마련된 셈”이라며 “이 기술을 이용해 흑린 박막을 이용한 다양한 소자를 개발할 계획”이라고 밝혔다. ... ...
- 머리카락 두께 10만 분의 1, 차세대 웨어러블 소자 개발2016.03.16
- 미국 라이스대 연구진과 공동으로 머리카락 지름의 10만 분의 1 정도로 매우 얇은 초박막 비금속 트랜지스터를 개발하는 데 성공했다고 16일 밝혔다. 기존의 웨어러블 컴퓨터 소재는 주로 금속으로 만들어져 너무 얇으면 쉽게 부서졌다. 전자 칩을 올려 놓는 구조물인 기판은 유연하게 만들 수 ... ...
- 차세대 전자소재 ‘강유전체’ 원리 첫 규명2016.03.08
- 수치의 변화 현상을 측정했다. 그런 다음 더욱 강한 전기장에도 견딜 수 있도록 새로운 박막을 합성했다. 그리고 여기에 기존 연구에서 가한 것보다 훨씬 큰 전기장을 가했다. 그 결과 이론적으로 예측했던 것보다 훨씬 큰 분극량이 나타났다. 이 물질을 비롯한 일부 물질이 강유전성을 나타내기 ... ...
- 차세대 원자층반도체 효율 낮춘 범인 밝혀졌다2016.03.08
- 배 높다. 하지만 광 변환 효율이 낮다는 문제가 있었다. 연구진은 이황화몰리브덴 박막에 펨토초(fs·1000조 분의 1초) 레이저를 쪼이는 초고속 분광법을 이용해 변환 효율을 낮게 만드는 원인이 새로운 형태의 반입자가 형성되기 때문이라는 사실을 찾아냈다. 반도체가 빛을 흡수하면 그 에너지로 ... ...
