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"낸드"(으)로 총 64건 검색되었습니다.
- SK하이닉스 "도시바 반도체 최종입찰 참여"…내달 결과발표동아사이언스 l2017.05.19
- 공동출자함으로써, 일본 여론도 고려할 계획을 세운 것으로 알려졌다. 도시바는 3D 낸드플래시 메모리 시장의 2위 업체다. 지난해 삼성전자(35.4%)에 이어 19.6%를 차지했다. SK하이닉스는 10.1%로 5위였다. SK하이닉스가 도시바를 인수하면 업계 2위로 도약할 수 있는 셈이다. 하지만, 입찰에 응한 또다른 ... ...
- 중국 '사드 보복'에도 건재한 IT주…그 배경은?포커스뉴스 l2017.03.08
- IT업계가 조명받으면서 관련 주들의 전망이 밝은 편"이라며 "삼성전자는 디램(DRAM), 3D 낸드(NAND) 등 반도체 부문의 핵심 기술에서 절대적인 시장지배력을 보이고 있다. 올해 큰 폭의 실적 달성이 예상된다"고 말했다. 중국발 '사드 보복' 여파도 비켜가는 모양새다. 이종욱 삼성증권 연구원은 "한중 갈등 ... ...
- 6년 연속 삼성 TV 'CES 최고 혁신상'…35개 제품도 수상포커스뉴스 l2016.12.26
- 동전보다 작은 크기(면적)에 무게는 1g(그램)인 512GB(기가바이트) BGA NVMe SSD 등 3세대(48단) V낸드 기반의 SSD 제품들이 수상했다. 삼성전자는 CES 2017이 열리는 미국 라스베이거스 컨벤션센터에 대형 전시관을 마련하고 이번 수상제품들을 비롯한 혁신 기술과 제품들을 공개할 계획이며, 수상 제품 중 ... ...
- 단체마다 다른 색깔, ‘과학기술계 10대 뉴스’ 어떤 차이날까?동아사이언스 l2016.12.23
- 여럿 포함돼 있는 점을 알 수 있네요. ▲전기전자정보공학 분야 ①3세대 48단 256Gb V낸드기반 15.36TB SAS SSD 기술(삼성전자) ②고해상도 Panel의 고투과/저소비전력 구현을 위한 M+ IPS 기술(LG디스플레이) ③10나노급 D램 기술 (삼성전자) ④14나노 공정 기반 모바일 SOC(삼성전자) ▲기계공학 분야 ⑤직경 1m ... ...
- 김기남 삼성전자 사장 "10나노 D램 개발 가능하다"2016.04.06
- 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다. 특히 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현, D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다고 평가받고 있다. ... ...
- 美 FBI, 애플 도움 없이 아이폰 잠금장치 풀었다동아일보 l2016.03.30
- 추측했다. 또 아이폰 해킹에 휴대전화 플래시메모리를 복제해 암호를 추론하는 방식인 ‘낸드 미러링(NAND mirroring)’ 방식이 사용됐을 것으로 추정했다. 아이폰 해킹에 성공했다는 소식이 알려지자마자 일본 아이치 현에 있는 선전자의 주가가 순식간에 14.32%나 폭등했다. 선전자는 2007년 ... ...
- 23년 D램 1위 절대지존… IoT시대 ‘제2 반도체 신화’ 쓴다동아일보 l2015.10.29
- 반영구적으로 저장이 가능한 ‘보관용’이다. D램은 전원을 끄면 정보가 사라지지만 낸드플래시는 전원이 꺼져도 메모리에 데이터가 계속 저장된다. 박형준 기자 lovesong@donga.com [화제의 뉴스] - 100억대 자택 내놓은 강덕수 회장, 왜? - 폈다 휘었다…TV, 내가 원한 만큼 구부려서 본다 - 스키니진 ... ...
- 1000배 더 빠른 USB메모리 개발 가능해졌다2015.06.21
- 용량을 1.5배 늘리고, 신호 감도를 늘려 빠른 처리속도를 확보하는 데 성공했다. 현재 낸드 플래시 시장은 연 27조 원 규모로 우리나라는 플래시 메모리 시장의 50% 이상을 차지하고 있다. 연구팀은 이 기술을 상용화 할 경우 플래시 메모리 시장을 한층 더 키우는 한편 국내 산업 장악력을 ... ...
- 2014년 올해의 10대 과학기술 뉴스2014.12.14
- 3.2테라바이트(TB)까지 늘리는 데 처음 성공했다. 삼성전자가 올해 9월 출시한 3차원 V낸드기반 시작한 3.2TB(테라바이트)용량의 카드타입 SSD. - 삼성전자 제공 ● 두개골 절개 않고 뇌종양 제거 수술 로봇 개발 한국과학기술연구원 바이오닉스연구단과 연세대 세브란스병원, KAIST 공동 ... ...
- D램, F램은 알겠는데, Re램?과학동아 l2014.05.25
- 상부전극과 하부전극 사이에 절연체(산화물)가 삽입된 형태로, 용량과 속도 면에서 낸드플래시 메모리를 압도해 주목받고 있다. 문제는 메모리 소자 내에서 산소 음이온과 양이온인 산소공공(산소空孔ㆍ산소음이온이 빠진 자리)의 이동을 정확히 파악하지 못해 상용화에 어려움을 겪고 있다는 ... ...
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