스페셜
"semiconductor"(으)로 총 7건 검색되었습니다.
- [국·영문 전문]한미 정상회담 공동성명2021.05.23
- also agree to work together to increase the global supply of legacy chips for automobiles, and to support leading-edge semiconductor manufacturing in both countries through the promotion of increased mutual investments as well as research and development cooperation. President Biden and President Moon commit to work together to develop a future-oriented partnership by leading innovation in the ... ...
- 생명연장 꿈 이뤄주는 힘센 난쟁이IBS l2015.12.28
- 과학(surface science), 유기 화학(organic chemistry), 분자 생물학(molecular biology), 반도체 물리학(semiconductor physics) 등 최신 융합 학문에서도 나노기술의 역할은 절대적이다. 나노융합산업연구조합에 따르면 2016년 세계 나노융합기술 시장의 규모만 해도 1조 6,465달러에 달할 것으로 전망된다. 나노기술은 ... ...
- 제2의 석기시대를 지탱하는 신기술IBS l2014.11.13
- 나타나면서 쌍극접합 트랜지스터는 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(metal-oxide- semiconductor field effect transistor, 이하 MOSFET)로 대체됐다. 테스트 패턴에 있는 두 개의 모스펫의 현미경사진. 두 개의 게이트와 세 개의 소스/드레인 절을 위한 프로브패드는 라벨이 있다. ⓒ위키미디어 MOSFET은 192 ... ...
- 허블 우주 망원경에서 디지털 카메라까지과학기술인공제회 l2013.12.11
- 옮기는 능력이었다. 1970년 4월 그들은 이런 개념을 '전하 결합 반도체 소자(Charge Coupled Semiconductor Devices)'라는 제목의 논문으로 발표했다. 이 논문에는 이 소자가 메모리, 지연선(遲延線), 영상 소자로 사용될 수 있다고 밝혔다. 작동하는 최초의 CCD는 집적회로 기술로 만들어진 8비트짜리였다. 이 ... ...
- 반도체의 탄생과 새로운 지평KOITA l2013.06.17
- 나타나면서 쌍극접합 트랜지스터는 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(metal-oxide- semiconductor field effect transistor, 이하 MOSFET)로 대체됐다. MOSFET은 1926년, 줄리어스 릴리언필드(Julius Edgar Lilienfeld)가 특허출원한 기술로 반도체 표면에서 동작이 일어나게 한 트랜지스터다. 표면에 반도체 구조를 ... ...
- [연구실 탐방]RDMIS 연구실 고속, 고감도의 방사선 검출을 선도한다KAIST l2013.05.22
- 섬광체를 개발 중이다. 세 번째는 X-ray 사진을 디지털로 찍는 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, 상보형 금속 산화막 반도체) 이미지 센서의 개발이다. 생산 공장에서 제품이 나올 때 이차원 X-ray 사진을 촬영하여 초고속 자동불량검사가 가능하도록 할 것이다. 또한 이를 사람용 토모그래피에 ... ...
- 반도체, 새로운 혁신이 필요하다!동아사이언스 l2013.04.30
- 반도체에서도 이러한 터널링 효과가 적용된다. 터널링 효과에 의하여 전자가 장벽인 Oxide semiconductor를 넘어 움직이기 때문에 더 이상 반도체가 적용될 수 없는 것이다. 즉, 이때까지는 전자를 입자로 보 고 반도체를 설계했지만, 전자가 파동성을 보이기 시작했기 때문에 기존의 거시세계에서 ... ...
